Корейский электронный гигант Samsung Electronics начал производство первых в индустрии 64-Гбит чипов флеш-памяти NAND на основе многоуровневых ячеек памяти (MLC), которые используют новейший интерфейс Toggle DDR2. Его скорость передачи данных достигает впечатляющих 400 Мбит/с. Микросхемы нового поколения создаются в соответствии с требованиями норм техпроцесса 20-нм класса, что позволяет снизить уровень энергопотребления и добиться увеличения плотности записи на чип. Кроме того, переход на использование интерфейса Toggle DDR2 позволяет добиться трехкратного увеличения пропускной способности чипов флеш-памяти в сравнении с образцами, использующими интерфейс Toggle DDR 1.0 (133 Мбит/с), и десятикратного увеличения пропускной способности в сравнении с широко распространенными сейчас чипами SDR NAND (40 Мбит/с).
Исполнительный вице-президент отдела по продажам памяти и маркетингу компании Samsung Ванхун Хонг (Wanhoon Hong), комментируя начало производства 64 Гбит чипов, сказал, что указанные микросхемы вскоре будут широко использоваться в твердотельных накопителях нового поколения, а также смартфонах, плеерах и других мобильных устройствах. Также в планах компании – активная разработка и внедрение решений на базе DDR NAND нового поколения в широкий спектр мобильных устройств с планомерным увеличением производительности и плотности микросхем. В заключение функционер компании отметил, что по сравнению с чипами 20-нм класса объемом 32 Гбит с интерфейсом Toggle DDR 1.0, новые микросхемы позволяют добиться 50% роста производительности. Нам остается лишь дождаться, когда новые быстрые и энергоэффективные чипы доберутся до потребительских устройств.
По прогнозам iSuppli, к концу 2012 года уровень использования NAND-флеш чипов с интерфейсом Toggle DDR2 достигнет 70%, увеличившись до указанной отметки с текущего показателя, равного 3%. А объем рынка вырастет с нынешних 11 млрд в условных 1 Гбайт-чипах до 94 млрд в 2015 году.
