Подразделение японской компании, Toshiba America Electronic Components произвела первые чипы NAND памяти типа DDR Toggle Mode с применением 32-нм технологического процесса. Как отмечает разработчик, в данном решении использован новый интерфейс, с помощью которого можно увеличить производительность более чем в 3 раза и уменьшить энергопотребление.
Новая память сможет показать производительность в 133 MT/с (миллионов передач в секунду), что значительно больше, чем демонстрируют стандартная SLC NAND память — 40 MT/с. NAND DDR Toggle Mode 1.0 будет выпускаться как в одноуровневых (SLC) и многоуровневых (MLC) ячейках.
При столь многообещающих показателях NAND DDR Toggle Mode 1.0 вполне подходит для производства твердотельных накопителей корпоративного сектора. При этом данные накопители будут на ура встречены и обыкновенными пользователями.
Корпорации Toshiba планирует поставлять NAND память DDR Toggle Mode 1.0 в версии SLC плотностью 32, 64 и 128 Гбит, а MLC — с плотностью 64, 128 и 256 Гбит. При этом в кузнях японского производителя уже вовсю кипит работа над NAND памятью DDR Toggle Mode версии 2.0. Специалисты корпорации собираются увеличить скорость интерфейса в три раза по сравнению с первой версией.
