Японская компания Elpida в сложное для страны время продолжает совершенствовать технологии производства микросхем памяти. Сегодня она сообщила, что освоила выпуск двухгигабитных микросхем памяти типа DDR3 по передовой 25 нм технологии. Память предыдущего поколения выпускалась по 30 нм технологии, теперь Elpida получила возможность уменьшить удельную площадь кристалла на 30%, и пропорционально увеличить выход кристаллов памяти с одной кремниевой пластины. Выпускаемая по 25 нм технологии память потребляет на 15% меньше энергии под нагрузкой, и на 20% меньше в состоянии покоя. К концу 2011 года Elpida планирует начать выпуск четырёхгигабитных микросхем памяти типа DDR3 по 25 нм технологии. Выход микросхем с одной пластины по сравнению с 30 нм техпроцессом будет увеличен на 44%. Серийные поставки 25 нм микросхем памяти DDR3, которые смогут работать в режиме DDR3-1866 при напряжении 1.5 В или режиме DDR3-1600 при напряжении 1.35 В, начнутся в июле текущего года.
