Ещё на прошлой неделе совместное предприятие Intel и Micron претендовало на технологическое лидерство в сфере производства твёрдотельной памяти типа NAND. Сообщалось, что на предприятиях IMFT начался выпуск микросхем 20 нм памяти объёмом 8 Гб, в серийное производство они будут запущены только во втором полугодии. Сегодня компания Toshiba сообщила о получении первых образцов микросхем памяти типа MLC объёмом 8 Гб, выпущенных по 19 нм технологии. В одной упаковке могут быть объединены 16 таких кристаллов, что позволяет создавать компактные микросхемы объёмом 128 Гб, которые найдут применение в смартфонах и планшетах. Полученные Toshiba микросхемы используют двухбитную организацию, но микросхемы с трёхбитной организацией тоже будут выпускаться по 19 нм технологии — предположительно, со второй половины текущего года. Образцы первых 19 нм микросхем памяти Toshiba получит к концу этого месяца, массовое производство будет налажено в период с июля по сентябрь этого года. Эти микросхемы используют технологию Toggle DDR 2.0, обеспечивающую повышение скорости передачи информации. В производстве микросхем памяти совместно с Toshiba участвует и компания SanDisk, которая планирует использовать 19 нм изделия в своих накопителях. Устройства хранения данных на базе 19 нм памяти типа MLC будут использовать особую архитектуру и алгоритмы работы с информацией, предотвращающие снижение долговечности и падение производительности. Подобные недостатки наблюдались при переходе с 34 нм на 25 нм память.
